采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ451N04FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1G08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
