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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P405

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:90A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V,90A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:9.75nF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:345nC@10V

    输入电容:20.25pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:8.725nF@20V

    连续漏极电流:31.3A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P405

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:90A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V,90A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订94个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订94个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:345nC@10V

    输入电容:20.25pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP70N04MUG-S18-AY 起订161个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP70N04MUG-S18-AY 起订161个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP70N04MUG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:4.9nF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:345nC@10V

    输入电容:20.25pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:345nC@10V

    输入电容:20.25pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP161N04TUG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:345nC@10V

    输入电容:20.25pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:9.75nF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP82N04MUG-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:9.75nF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404PBF 起订数25个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404PBF 起订数25个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:5.669nF@25V

    连续漏极电流:202A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@10V,121A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:8.725nF@20V

    连续漏极电流:31.3A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS015N04B 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:8.725nF@20V

    连续漏极电流:31.3A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404ZPBF 起订数5000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404ZPBF 起订数5000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:200W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10V,75A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P405 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P405

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:90A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V,90A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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