品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P04P405
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.7mΩ@10V,90A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.75nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:31.3A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P04P405
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.7mΩ@10V,90A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP70N04MUG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
输入电容:4.9nF@25V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.75nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.75nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:196nC@10V
输入电容:5.669nF@25V
连续漏极电流:202A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,121A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:31.3A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:31.3A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10V,75A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P04P405
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.7mΩ@10V,90A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ
功率:1.8W€120W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: