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品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4076-ZK-E1-AY
功率：1W€26W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
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库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4076-ZK-E1-AY
功率：1W€26W
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栅极电荷：24nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4076-ZK-E1-AY
功率：1W€26W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4076-ZK-E1-AY
功率：1W€26W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4076-ZK-E1-AY
功率：1W€26W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
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反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080BGTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
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反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
