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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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功率：34W
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栅极电荷：40nC@10V
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导通电阻：7mΩ@27A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2121
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
漏源电压：40V
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：33mΩ@10V，4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
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