品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),150W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 4.5 V
输入电容:4600 pF @ 20 V
连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:9.4 nC @ 10 V
输入电容:830 pF @ 20 V
连续漏极电流:17A(Ta),49A(Tc),59A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),150W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 4.5 V
输入电容:4600 pF @ 20 V
连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3W(Ta),150W(Tc)
连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)
漏源电压:40V
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:4600 pF @ 20 V
导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),79W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:28 nC @ 10 V
输入电容:1900 pF @ 20 V
连续漏极电流:27A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.2 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:204 nC @ 10 V
输入电容:10500 pF @ 20 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V
输入电容:10500 pF @ 20 V
功率:104W(Tc)
连续漏极电流:100A(Tc)
漏源电压:40V
阈值电压:2.3V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
栅极电荷:204 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: