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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),150W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:67 nC @ 4.5 V

    输入电容:4600 pF @ 20 V

    连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LS6ATMA1 起订数10000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LS6ATMA1 起订数10000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:9.4 nC @ 10 V

    输入电容:830 pF @ 20 V

    连续漏极电流:17A(Ta),49A(Tc),59A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.9 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),150W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:67 nC @ 4.5 V

    输入电容:4600 pF @ 20 V

    连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LS6ATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3W(Ta),150W(Tc)

    连续漏极电流:40A(Ta),100A(Tc)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:67 nC @ 4.5 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

    输入电容:4600 pF @ 20 V

    导通电阻:1mOhm @ 50A, 10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),79W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:28 nC @ 10 V

    输入电容:1900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:27A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.2 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    功率:104W(Tc)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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