品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@20V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@20V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@20V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1004PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5330pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@78A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1004PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5330pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@78A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@20V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4139,"22+":850}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1004PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5330pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@78A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1004PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5330pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@78A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1004PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5330pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@78A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: