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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMJS0D8N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NTMJS0D8N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.2W€180W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:56A€368A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C453NLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C453NLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€68W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:23A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9520pF@20V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€245W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:265nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16013pF@20V

    连续漏极电流:78.9A€554.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.42mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3024}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9520pF@20V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:104
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€245W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:265nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16013pF@20V

    连续漏极电流:78.9A€554.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.42mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8862pF@25V

    连续漏极电流:50A€330A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.82mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订125个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订125个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:125
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12168pF@25V

    连续漏极电流:370A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:41A€237A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C453NLWFTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C453NLWFTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:107A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N04LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@20V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MCC Mosfet场效应管 MCAC90N04-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC90N04-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC90N04-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS0D8N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS0D8N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.2W€180W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:56A€368A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:246
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":145500,"23+":195000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:812
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C426NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:41A€237A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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