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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:21A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":181,"17+":42211,"22+":3000,"23+":145031}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7700pF@20V

    连续漏极电流:46A€330A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:98
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6800pF@20V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:21A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ025N04LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ025N04LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ025N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3680pF@20V

    连续漏极电流:22A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4564DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4564DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@20V

    连续漏极电流:10A€9.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC026N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H425NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H425NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@20V

    连续漏极电流:25A€118A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:558
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF@20V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF@20V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7700pF@20V

    连续漏极电流:46A€330A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:21A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF@20V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
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