采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"23+"：13980，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"23+"：13980，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"23+"：13980，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1405pF@20V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
功率：2.6W
栅极电荷：25.5nC@10V
导通电阻：10mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：1W€97W
输入电容：3200pF@25V
工作温度：175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：57nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：1W€97W
输入电容：3200pF@25V
工作温度：175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：57nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：1W€97W
输入电容：3200pF@25V
工作温度：175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：57nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
