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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLS8409-7TRL 起订148个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"93+":455}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLS8409-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16488pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.75mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:267nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15270pF@25V

    连续漏极电流:478A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC228

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:416W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:307nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19680pF@25V

    连续漏极电流:557A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA74DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA74DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.99mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€127W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9400pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4047LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:7A€5.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC228

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:416W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:307nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19680pF@25V

    连续漏极电流:557A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@20V

    连续漏极电流:41.6A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.63mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6236

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@20V

    连续漏极电流:19A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC228 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC228

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:416W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:307nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19680pF@25V

    连续漏极电流:557A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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