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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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功率：39W
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类型：N沟道
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阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
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功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
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阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
功率：39W
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
输入电容：4290pF@20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
输入电容：4290pF@20V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
功率：46.2W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRB40DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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