销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2683pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2683pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:20+
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:20+
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: