采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：930mW（Ta）
栅极电荷：37 nC @ 10 V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：1810 pF @ 20 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
类型：P 通道
功率：41W（Tc）
连续漏极电流：20A（Ta）
栅极电荷：37 nC @ 10 V
漏源电压：40V
工作温度：175°C（TJ）
输入电容：1850 pF @ 10 V
阈值电压：3V @ 1mA
导通电阻：22.2 毫欧 @ 10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
