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    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 130nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40PS,127 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-40PS,127 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8423pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7446TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7446TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@56A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-4M5L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-4M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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