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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1601,"22+":31934}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订514个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订514个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540-AU_R2_002A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540-AU_R2_002A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:2.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:31A€192A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540-AU_R2_002A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540-AU_R2_002A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:2.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:31A€192A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9406-F085T6 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€136.4W

    阈值电压:3.5V@190µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@25V

    连续漏极电流:45A€240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订514个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订514个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9713}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9509L-F085 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9509L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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