品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1601,"22+":31934}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:31A€192A
类型:N沟道
导通电阻:1.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:31A€192A
类型:N沟道
导通电阻:1.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9713}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: