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    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 20nC@10V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4186 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4186 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4186

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@20V

    连续漏极电流:10A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M8R5-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M8R5-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M8R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1309pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M8R5-40HX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M8R5-40HX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M8R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1309pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C464NT4G 起订232个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C464NT4G 起订232个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@20V

    连续漏极电流:19A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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