品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":647}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@65µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD240
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:23A€70A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7140
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"MI+":2463}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@65µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: