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    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 60nC@10V
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":647}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订596个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订596个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD240 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD240 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD240

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€150W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:23A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000,"MI+":2463}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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