品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":10302}
包装规格(MPQ):766psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):202psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1450}
包装规格(MPQ):112psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1450}
包装规格(MPQ):112psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":554}
包装规格(MPQ):105psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3431-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€100W
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6100pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@42A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):202psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":10302}
包装规格(MPQ):766psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):766psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):202psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):112psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):105psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3431-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€100W
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6100pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@42A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):112psc
生产批次:{"20+":1450}
规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY
连续漏极电流:88A
导通电阻:3.4mΩ@44A,10V
功率:1.8W€200W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:175℃
输入电容:15000pF@25V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
阈值电压:4V@26µA
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2550pF@25V
栅极电荷:32nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
阈值电压:4V@26µA
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2550pF@25V
栅极电荷:32nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):202psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1450-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:散装
输入电容:715pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: