采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
