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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
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功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
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连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
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连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：QH8M22TCR
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功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
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输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N+P-Channel
导通电阻：46mΩ@4.5A，10V;190mOhm@2A，10V
漏源电压：40V€-40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A€4A
工作温度：150℃
漏源电压：40V
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
功率：690mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A€4A
工作温度：150℃
漏源电压：40V
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
功率：690mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
功率：1.1W
连续漏极电流：4.5A€2A
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
功率：1.1W
连续漏极电流：4.5A€2A
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
