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    漏源电压: 40V
    连续漏极电流: 50A
    类型: P沟道
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:80+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P04SDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P04SDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD45P4LLF6AG
    ST Mosfet场效应管 STD45P4LLF6AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:58W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD45P4LLF6AG
    ST Mosfet场效应管 STD45P4LLF6AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD45P4LLF6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:58W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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