采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ900E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ900E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ900E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ900E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ900E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
