采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
栅极电荷：275nC@10V
阈值电压：2.4V@250μA
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：15.78nF@20V
功率：375W
导通电阻：990mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
