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    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ148EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK15S04N1L,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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