品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP15P04SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: