品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6KB5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6KB5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6KB5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6G050ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.1nF@20V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6KB5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6KB5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: