品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:1100pF@20V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:959pF@25V
栅极电荷:11nC@5V
功率:59.4W
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:34A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: