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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOD604
    AOS Mosfet场效应管 AOD604

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD604

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:404pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:33mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
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