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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
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连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
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输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
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输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
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栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NLG-S18-AY
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
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连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：1700}
规格型号(MPN)：NP82N04NLG-S18-AY
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
输入电容：9nF@25V
阈值电压：2.5V@250μA
功率：1.8W€143W
连续漏极电流：82A
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NLG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
