采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：683}
规格型号(MPN)：NVBLS0D5N04CTXG
阈值电压：4V@475µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：65A€300A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：12600pF@25V
功率：4.3W€198.4W
ECCN：EAR99
导通电阻：0.57mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：2900，"20+"：619，"22+"：1707，"23+"：2291}
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
功率：4.1W€166W
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50A€316A
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：6100pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：4028，"23+"：18000}
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：2.9W€56W
类型：N沟道
连续漏极电流：27A€108A
输入电容：3965pF@20V
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：4300pF@25V
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：41A€235A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A€140A
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：2100pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
功率：3.6W€50W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.5V@40µA
漏源电压：40V
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
类型：N沟道
输入电容：1000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：19A€71A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：2.5W€205W
输入电容：12238pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
栅极电荷：205nC@10V
连续漏极电流：67A€433A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
功率：3W€30W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：14A€45A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
功率：3.6W€50W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.5V@40µA
漏源电压：40V
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
类型：N沟道
输入电容：1000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：19A€71A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：150A
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3100pF@20V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：7735pF@25V
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：107nC@10V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
连续漏极电流：240A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：45A€240A
输入电容：4960pF@25V
功率：4.3W€136.4W
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
输入电容：26110pF@20V
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：338nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：420A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：3.2W€139W
栅极电荷：143nC@10V
连续漏极电流：46A€302A
ECCN：EAR99
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360LET40
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：80nC@10V
连续漏极电流：27A€141A
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€75W
输入电容：5300pF@20V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：20A€80A
功率：3.6W€55W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
连续漏极电流：17A€52A
栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：45A€240A
输入电容：4960pF@25V
功率：4.3W€136.4W
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
阈值电压：3.5V@190µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
功率：3.9W€166W
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
连续漏极电流：46A€300A
输入电容：6100pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS0D5N04CTXG
阈值电压：4V@475µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：65A€300A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：12600pF@25V
功率：4.3W€198.4W
导通电阻：0.57mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
功率：3.6W€50W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.5V@40µA
漏源电压：40V
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
类型：N沟道
输入电容：1000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：19A€71A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
