品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66401
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€300W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:340nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19180pF@20V
连续漏极电流:82A€400A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:27A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ024N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€75W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:24A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:15A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA54DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.35mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT2142L
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:67A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ021N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: