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    类型: N沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订500个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订125个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订125个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000,"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000,"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订10个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000,"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000,"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:3V@210µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7408pF@25V

    连续漏极电流:51.3A€291A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D0N04CLTXG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D0N04CLTXG

    输入电容:7408pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:4.7W€153W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:51.3A€291A

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:122nC@10V

    阈值电压:3V@210µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    栅极电荷:122nC@10V

    功率:3.5W€7.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4456DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    输入电容:5670pF@20V

    连续漏极电流:33A

    栅极电荷:122nC@10V

    功率:3.5W€7.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YSHX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9433pF@20V

    连续漏极电流:290A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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