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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
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栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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栅极电荷：18.2nC@10V
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输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
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输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2891，"23+"：13175，"MI+"：11745}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2891，"23+"：13175，"MI+"：11745}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
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输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
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输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S410ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
