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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5832NLWFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€127W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
