采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：433}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N04S2-04
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7220pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
