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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
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输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：623，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ142E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6975pF@25V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
