采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：2个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：6.2mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：590pF@25V
漏源电压：40V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
功率：28W
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
反向传输电容：8pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
阈值电压：2.2V@20μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：20mΩ@7A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.9W
输入电容：720pF@20V
栅极电荷：11nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：20mΩ@7A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.9W
输入电容：720pF@20V
栅极电荷：11nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
