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    漏源电压: 40V
    类型: P沟道
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    当前匹配商品:1700+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3670pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120P04P404ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120P04P404ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14790pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.2V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L06ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L06ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.2V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6580pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:731nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62190pF@25V

    连续漏极电流:390A

    类型:P沟道

    导通电阻:2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P407ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P407ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P405ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:731nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62190pF@25V

    连续漏极电流:390A

    类型:P沟道

    导通电阻:2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P4L02ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P4L02ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P4L02ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.2V@410µA

    栅极电荷:286nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18700pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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