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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ904E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：48W
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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