采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4616
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V€12nC@10V
输入电容：520pF@20V€415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4616
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V€12nC@10V
输入电容：520pF@20V€415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4616
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
类型：1个N沟道+1个P沟道
输入电容：520pF@20V€415pF@20V
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：13nC@10V€12nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.95nF@20V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
