品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
阈值电压:2.5V
包装方式:Reel
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:17.7mΩ
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:10.6nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
阈值电压:2.5V
包装方式:Reel
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:17.7mΩ
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:10.6nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.1nC@20V
输入电容:1.06nF@20V
连续漏极电流:8.3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:24mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KB6TCR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:17.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: