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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-40HLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9V13-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-40VLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK15S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：17.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9V13-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
