采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.3nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：72pF@20V
导通电阻：1.2mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
功率：110W
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：2.2nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：54nC@10V
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
输入电容：4.3nF@20V
栅极电荷：32nC@4.5V
反向传输电容：72pF@20V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
导通电阻：1.2mΩ@10V，50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
