品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4893}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST3D3N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:157A
类型:MOSFET
导通电阻:3.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9713}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9713}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9713}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
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连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: