采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
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栅极电荷：138nC@10V
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
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栅极电荷：280nC@10V
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输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
