采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
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功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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连续漏极电流：100A
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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连续漏极电流：100A
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
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功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
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功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
功率：106W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：100A
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
输入电容：2410pF@20V
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
功率：106W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：100A
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
输入电容：2410pF@20V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
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生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
