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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3157,"23+":2047}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S304ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S304ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2747,"19+":794,"23+":485,"24+":1765}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S304ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L012ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4832pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.21mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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