品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: