采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8441
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：23A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
