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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：39000，"23+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4517，"MI+"：2245}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：39000，"23+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：760，"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70P04P409ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：38A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：64500，"22+"：255000，"23+"：10500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
