采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R9-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：管件
输入电容：13200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R9-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：管件
输入电容：13200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：605}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R9-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：管件
输入电容：13200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：605}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R9-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：管件
输入电容：13200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000，"22+"：3000，"24+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R1-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87.8nC@5V
包装方式：管件
输入电容：9584pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：605}
规格型号(MPN)：PSMN1R9-40PLQ
连续漏极电流：150A
栅极电荷：120nC@5V
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：349W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@1mA
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
输入电容：13200pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
连续漏极电流：150A
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
栅极电荷：195nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP40012EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10930pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.79mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000，"22+"：3000，"24+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R1-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87.8nC@5V
包装方式：管件
输入电容：9584pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000，"22+"：3000，"24+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R1-40PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87.8nC@5V
包装方式：管件
输入电容：9584pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1000，"22+"：3000，"24+"：1000，"MI+"：1000}
规格型号(MPN)：PSMN2R1-40PLQ
输入电容：9584pF@25V
连续漏极电流：150A
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：管件
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
栅极电荷：87.8nC@5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
